Développement de procédé de fabrication de puces à atomes froids

Objectif général

Élaboration d'un schéma de procédé microélectronique industriel pour la fabrication en masse de puces / micro‑circuits à atomes froids.
Reproduction et adaptation du procédé existant dans les installations du titulaire avec livraison de composants de validation à l'issue de chaque phase.

Phases et livrables

Phase 1 – Reproduction et adaptation : reproduction et adaptation du process flow dans les installations du titulaire ; démonstration initiale et livraison d'au moins 1 composant de validation ; rapport d'installation du procédé (L1).
Phase 2 – Mise à l'échelle : adaptation du procédé pour production parallèle (cible : fabrication de 4 puces en parallèle) ; validations lithographie et métallisation ; livraison d'au moins 4 puces ; rapport procédé évolué (L2).
Phase 3 – Préindustrialisation et automatisation : étude et conception d'une ligne de production automatisée à l'échelle préindustrielle ; démonstration des capacités de production et procédures de contrôle qualité ; livrables de méthodes et contrôles (L3).
Phase 4 – Outils logiciels : développement d'outils de pilotage, d'automatisation et de caractérisation du procédé ; livraison des logiciels et documentation technique associée (L4).

Caractéristiques techniques exigées

Substrats pris en charge : AlN et Si.
Métallisation en or par évaporation et électrodéposition ; épaisseur minimale de métallisation : ≥ 3 µm.
Rugosité résiduelle des parois des micro‑fils : < 50 nm RMS (sur la surface totale du micro‑circuit).
Rapport largeur:hauteur des micro‑fils attendu dans la plage 3:3 à 1000:3.

Outils et moyens de caractérisation demandés

Profilomètre / scanner optique à balayage : résolution horizontale micro/micrométrique, résolution verticale nanométrique, plage de mesure supérieure à 500 × 500 mm.
Résistivimètre 4 points : support 4 pouces, haute précision et répétabilité, plage de résistance 10 µΩ/sq à 10 GΩ/sq.
Réflectomètre / analyseur de Shack‑Hartmann : support 4 pouces, performance front d'onde ≈ λ/100 RMS en NIR.

Organisation des validations

Livraisons de composants de validation après chaque phase et démonstration opérationnelle du procédé dans les installations du titulaire.
Documentation attendue : rapports d'installation et de procédé (L1, L2), méthodes de contrôle qualité (L3), logiciels et documentation (L4).

Tous les détails du marché

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