Équipements de microscopie électronique, métallisation et nano‑indentation

Colonne électronique

• Emission de champ ; courant de sonde variable de quelques pA à plusieurs dizaines de nA.
• Multiples détecteurs d'électrons secondaires (dans colonne et en chambre) et détecteurs d'électrons rétrodiffusés (colonne).
• Détecteur STEM rétractable.
• Solutions d'alignement automatique des faisceaux appréciées.

Colonne ionique (Ga)

• Tension d'accélération réglable 500 V à 30 kV.
• Courant de faisceau variable de quelques pA à plusieurs dizaines de nA.
• Qualité d'imagerie ionique en basse tension et maîtrise du profil de faisceau à hautes tensions/forts courants attendues.
• Alignement automatique des faisceaux apprécié.

Chambre, manipulations et accessoires

• Caméras CCD internes pour visualisation, système de mesure de courant de faisceaux et courant d'échantillon.
• Système de neutralisation/compensation des charges pendant usinage/observation.
• Platine porte‑objet motorisée (minimum 5 axes) avec navigation, polarisation de platine et pupitre de commande des paramètres principaux.
• Portoir(s) réglables pour stubs MEB et demi‑grilles (préparation lames minces MET).
• Micromanipulateur interne motorisé : approches sécurisées, rotation, positions programmables et rappel, haute stabilité (faible vibration/dérive) et répétabilité.
• Systèmes GIS pour dépôts (Pt et W au minimum) en modes ion/electron ; vitesse de dépôt suffisante pour protéger une zone typique de 20 × 2 × 1 µm3 en quelques minutes.
• Système de nettoyage de chambre par plasma, système de refroidissement en circuit fermé si nécessaire, système d'air comprimé autonome et onduleur (UPS) pour maintien et mise en sécurité automatique.

Microanalyse couplée (EBSD + EDS)

• EBSD : caméra CMOS, inclinaison modifiable par logiciel, détecteurs BSE autour de l'écran EBSD, logiciel d'acquisition cartographies 2D mono/multi‑champs, reconstruction grands champs, bases de données de phases (incluant minéralogie), modes réflexion (2D) et transmission (TKD), porte‑objets adaptés EBSD réflexion et TKD.
• EDS : détecteur SDD motorisé, surface utile ≥ 100 mm², positionnement optimisé pour couplage EDS/EBSD (vue en coupe recommandée pour préciser angle solide et distance diode‑échantillon), logiciel d'acquisition cartographies X mono/multi‑champs avec correction de dérive.
• Détecteur combiné X/BSE rétractable pour améliorer cartographies couplées.

Contraintes liées aux échantillons nucléarisés

• Tenue aux rayonnements β/γ attendue (détecteurs, électronique, matériaux) et prise en compte des risques de contamination ; description des conditions d'entretien, dépannage et radioprotection exigée.
• Déport des commandes (MEB/FIB et EDS/EBSD) d'au moins 10 m du microscope.
• Solutions limitant contamination par pulvérisation FIB (description requise : solution mature ou étude nécessaire à préciser).
• Clapet de protection pour détecteur EDS en position rétractée.

Informatique et logiciels

• OS : Windows 11 Professionnel 64 bits.
• Ordinateur microscope : SSD + stockage utilisateurs ≥ 2 To ; ordinateur EBSD/EDX : stockage ≥ 10 To.
• Carte réseau physique libre (LAN), au moins 2 écrans distincts (MEB/FIB et EBSD/EDX).
• Logiciels : contrôle microscope et accessoires ; acquisition et reconstruction volumes 3D tomographie FIB ; environnement de programmation (Python) avec au moins 2 licences supplémentaires pour développements hors poste principal ; traitement EBSD/EDS en version déportée avec 5 licences (préférence licences portatives via dongle).

Formation et maintenance

• Formation prise en main à l'installation : minimum 3 jours sur site pour 5 personnes.
• Formation approfondie pour responsables/maintenance : minimum 2 jours sur site pour 2 personnes.
• Contrat de garantie de 5 ans pour la partie MEB/FIB (EBSD, EDS et micromanipulateur exclus du périmètre) ; précisions obligatoires sur exclusions et consommables.
• Description précise de l'organisation d'entretien et dépannage en zone réglementée (personnel formé, protocoles, moyens d'intervention, modalités de radioprotection).