Équipement de polissage mécano-chimique 300 mm

Caractéristiques principales de l'outil

• Au moins 4 platens équipés d'end‑point in situ (couplage moteur‑torque, détection optique multi‑longueurs d'onde, surveillance d'épaisseur métallique en temps réel).
• Têtes de polissage avec ≥10 zones de membrane de pression supervisées en temps réel et 1–2 zones Retaining Ring pour gestion des bords.
• Capacité de prendre en charge des wafers transparents.
• Minimum 3 lignes de slurry par platine et au moins 8 connexions slurry à l'entrée de l'outil.
• Points de dispense avec débit ajustable 50–500 mL/min.
• Ports de chargement : 3 ports, dont un port dédié pour métrologie embarquée sur film transparent.
• Interfaces logicielles et matérielles compatibles SECS/GEM et interfaçage avec systèmes de contrôle et sous‑équipements.

Fonctionnalités procédurales et métrologie

• Métrologie embarquée multi‑point : recettes de mesure jusqu'à 81 points; surveillance multi‑point en temps réel pour ajustement de profil.
• End‑point en temps réel et détection sur séries de wafers monitorisés (ex. 8 wafers monitorisés lors des tests décrits).
• Contrôle des flux slurry, plages de pression et forces de contact réglables; monitoring des paramètres process et collecte de données pour qualification.

Procédés exigés et performances ciblées

• Handling check : validation de la manipulation sur 4 platens avec séries de tests (ex. 25 wafers Si SEMI 775 µm sans alarme; tests sur wafers minces, épais, transparents et wafers taillés). Contrôle de la fiabilité du transfert FOUP et marathon de manipulation.
• Oxide CMP (TEOS/DIW) : tests par platine/tête avec mesures 81 points, end‑point temps réel ; objectifs qualité mesurables : RR > 1500 Å/min, WIW NU < 4%, WIWRange < 20%, WTWRange < 110 Å/min, WTWNU < 3%.
• Silicon high RR CMP : polissage d'épaisseurs 5–10 µm avec supervision multi‑point ; objectifs : RR > 1 µm/min, retrait ≈ 5 µm, réduction TTV (ex. de 3 µm à ~1 µm après polissage).
• Autres procédés (3 à 6 mentionnés) : existence et qualification requises ; contenus détaillés non fournis dans les extraits mais doivent être implémentés et testés selon le cahier des charges.

Handling et transfert

• Compatibilité FOUP 300 mm et protocoles INFOPAD.
• Fiabilité de manipulation : test marathon de 500 wafers sans défaillance ni alarme pour transferts FOUP ↔ stations.

Environnement, sécurité et conformité

• Conception compatible salles propres (ISO 3–6 selon implantation), conditionnement thermique 21 ± 1 °C et humidité 45 ± 5 % RH, gestion des fluides et compatibilité alimentation électrique/gaz.
• Conformité aux directives machines et exigences de sécurité (analyses de risques, dispositifs de coupure, sécurité chimique/électrique/mécanique).

Documentation, formation et maintenance

• Fourniture de documentation complète et manuels techniques, formation opérationnelle et maintenance technique, garantie, fourniture de pièces de rechange et offre de contrat de maintenance avec indicateurs de performance.

Essais et validations

• Tests usine (FAT), vérifications à la livraison, mise en service et essais sur site, procédures de réception et vérifications post‑garantie.