Fourniture d’un système de recuit par laser nanoseconde

Description de l'équipement
Le système comprend un module de processus où sera effectué le traitement par laser de fusion ou de sous-fusion par un traitement par étapes et répétitions. Les caractéristiques du traitement laser ciblé sont :

• Longueur d'onde : < 400 nm, de préférence < 350 nm.
• Durée d'impulsion : entre 10 et 800 ns, de préférence entre 30 et 500 ns.
• Champ d'exposition maximum : 26x33mm² (champ lithographique complet).
• Densité d'énergie : de 0.05 x EDm(Si) à 3 x EDm(Si).
• Système d'alignement et procédure (wafer avec ou sans motif).
• Surveillance in-situ de l'uniformité du faisceau laser et de la température.
• Capacité de traitement automatique de wafers de 300 mm et 200 mm sans opération de maintenance.
• Traitement sous atmosphère contrôlée (N2, Ar, O2, N2H2).

Spécifications matérielles

• Système de pompage et lignes de gaz/produits chimiques nécessaires pour les processus.
• Surveillance de la consommation de fluides contrôlés par des contrôleurs de débit massique.
• Gestion des gaz inflammables avec dilution par azote.
• Système de contrôle de température avec préchauffage jusqu'à 400 °C minimum.

Sécurité

• Conformité aux directives européennes applicables.
• Analyse des risques (mécanique, électrique, thermique, gaz, chimique, radiation).
• Systèmes de protection et de signalisation pour les risques identifiés.

Conditions environnementales

• Installation dans une salle blanche avec des spécifications de propreté selon ISO 14-644-1.
• Gestion des fluides et des effluents gazeux et liquides.
• Systèmes de traitement des effluents pour limiter les émissions polluantes.

Documentation

• Fourniture de manuels en version papier et CD-ROM, avec des spécifications sur le type de papier compatible avec la salle blanche.