Acquisition d'un bâti de gravure plasma

3. Mesure du vide :

   • Installation de plusieurs jauges de pression pour mesurer la pression de travail et le vide limite.
   • Système de contrôle de pression rapide.

4. Laminage :

   • Système de régulation de pression interfacé avec l'informatique de contrôle.

5. Sas de transfert :

   • Équipé d’un hublot pour observer le substrat et d’une jauge pour le vide en temps réel.
   • Opération de transfert robotisée.

6. Chambre de gravure :

   • Assurer un vide de haute qualité ≤ 5E-7 mbar avec contrôle de température des parois entre 40°C et 60°C.
   • Équipée de hublots pour détection et contrôle visuel.
   • Chemisages internes amovibles pour gravure de silicium et de métaux.

7. Système de distribution des gaz :

   • Regroupement des lignes de gaz avec filtres et vannes pneumatiques.
   • Lignes de gaz pour Ar, SF6, O2, C4H8, CHF3, CH4.

8. Électrode inférieure :

   • Conçue pour travailler sur des substrats de 5mm à 4 pouces avec un système de refroidissement.

9. Générateurs :

   • Générateur RF de 13,56 MHz pour l’électrode cathode et générateur pour l’électrode supérieure.

10. Interféromètre laser :

    • Système de détection de fin d’attaque pour couches minces avec contrôle logiciel.

11. Module DRIE :

    • Permet la gravure profonde de silicium avec un rapport d’aspect de 1:10.

12. Ordinateur et logiciel :

    • Pilotage de la machine avec accès réseau, plusieurs niveaux d’accès, et enregistrement des paramètres de procédé.

Spécifications d'installation

• Installation dans une salle blanche ISO 7, dimensions spécifiques, et exigences de raccordement électrique.

Prestations supplémentaires éventuelles (PSE)

1. PSE N°1 : Préparation de deux lignes de gaz process supplémentaires (H2 et N2).
2. PSE N°2 : Chemisage supplémentaire compatible avec la gravure du silicium et d’oxydes.
3. PSE N°3 : Offre pour une année de garantie supplémentaire.